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BFR193E6327HTSA1
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.450 | CNY7.25 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.450 (CNY1.6385) |
| 50+ | CNY1.180 (CNY1.3334) |
| 250+ | CNY1.130 (CNY1.2769) |
| 1000+ | CNY0.969 (CNY1.095) |
| 7500+ | CNY0.950 (CNY1.0735) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BFR193E6327HTSA1
库存编号
复卷2432737RL
切割卷带2432737
也称为BFR 193 E6327, SP000011056
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压12V
过渡频率8GHz
功率耗散580mW
连续集电极电流80mA
晶体管封装类型SOT-23
针脚数3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值70hFE
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The BFR 193 E6327 is a NPN low-noise silicon Bipolar RF Transistor for low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz. The device is suitable for various applications like cellular and cordless phones, DECT, Tuners, FM and RF modems.
警告
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技术规格
晶体管极性
NPN
过渡频率
8GHz
连续集电极电流
80mA
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
12V
功率耗散
580mW
晶体管封装类型
SOT-23
直流电流增益, Hfe 最小值
70hFE
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000145