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BFP540FESDH6327XTSA1
晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, TSFP
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号BFP540FESDH6327XTSA1
库存编号
复卷2480670RL
切割卷带2480670
也称为BFP 540FESD H6327, SP000745300
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY3.360 | CNY3.36 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY3.360 (CNY3.7968) |
| 10+ | CNY2.420 (CNY2.7346) |
| 100+ | CNY2.300 (CNY2.599) |
| 500+ | CNY2.270 (CNY2.5651) |
| 1000+ | CNY2.160 (CNY2.4408) |
| 5000+ | CNY2.040 (CNY2.3052) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BFP540FESDH6327XTSA1
库存编号
复卷2480670RL
切割卷带2480670
也称为BFP 540FESD H6327, SP000745300
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压4.5V
过渡频率30GHz
功率耗散250mW
连续集电极电流80mA
晶体管封装类型TSFP
针脚数4引脚
直流电流增益, Hfe 最小值50hFE
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The BFP 540FESD H6327 is a low-noise Silicon Bipolar RF Transistor designed for high gain low-noise amplifier applications.
- Excellent ESD performance
- Halogen-free
技术规格
晶体管极性
NPN
过渡频率
30GHz
连续集电极电流
80mA
针脚数
4引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
4.5V
功率耗散
250mW
晶体管封装类型
TSFP
直流电流增益, Hfe 最小值
50hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000008