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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.120 | CNY20.60 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.120 (CNY4.6556) |
| 10+ | CNY2.620 (CNY2.9606) |
| 100+ | CNY2.120 (CNY2.3956) |
| 500+ | CNY2.020 (CNY2.2826) |
| 1000+ | CNY1.840 (CNY2.0792) |
| 5000+ | CNY1.810 (CNY2.0453) |
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产品概述
The BAR 81W H6327 is a Silicon RF Switching Diode with shunt-diode configuration. It is designed for use in shunt configuration in high performance RF switches.
- High shunt signal isolation
- Low shunt insertion loss
- Optimized for short - open transformation using λ/4 lines
- -55 to 125°C Operating temperature range
技术规格
二极管配置
单
反向电压
30V
引脚数
4引脚
正向电流
100mA
正向电压
1V
二极管安装
表面安装
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
电阻值 @ If
1ohm
二极管封装类型
SOT-343
二极管电容
0.9pF
工作温度最高值
125°C
功率耗散
100mW
产品范围
BAR81
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000048