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AUIRFN8459TR
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 50 A, 50 A, 4800 µohm
已停产
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号AUIRFN8459TR
库存编号2726087
产品范围HEXFET Series
也称为SP001517406
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道50A
连续漏极电流 Id P沟道50A
漏源通态电阻N沟道4800µohm
漏源导通电阻P沟道4800µohm
晶体管封装类型PQFN
针脚数8引脚
耗散功率N沟道50W
耗散功率P沟道50W
工作温度最高值175°C
产品范围HEXFET Series
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
AUIRFN8459TR 的替代之选
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产品概述
- Automotive HEXFET® power MOSFET
- Automotive qualified
- Advanced planar technology
- Ultra-low on-resistance
- Fast switching
- Dual N channel MOSFET
- Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
50A
漏源导通电阻P沟道
4800µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
50W
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
50A
漏源通态电阻N沟道
4800µohm
晶体管封装类型
PQFN
耗散功率N沟道
50W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000179