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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY54.630 | CNY273.15 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY54.630 (CNY61.7319) |
| 50+ | CNY41.190 (CNY46.5447) |
| 250+ | CNY40.370 (CNY45.6181) |
| 1000+ | CNY39.540 (CNY44.6802) |
| 2000+ | CNY38.720 (CNY43.7536) |
品項附註
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产品概述
- Automotive grade Directed® power MOSFET
- Advanced process technology
- Optimized for automotive motor drive, DC-DC and other heavy load applications
- Exceptionally small footprint and low profile
- High power density
- Low parasitic parameters
- Dual sided cooling
- Repetitive avalanche capability for robustness and reliability
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
124A
晶体管封装类型
DirectFET L8
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
125W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
3500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.7V
针脚数
15引脚
产品范围
HEXFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454