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AIMZHN120R020M1TXKSA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 100 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号AIMZHN120R020M1TXKSA1
库存编号4335792
产品范围CoolSiC Series
也称为AIMZHN120R020M1T, SP005732422
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| 1+ | CNY214.930 (CNY242.8709) |
| 5+ | CNY177.030 (CNY200.0439) |
| 10+ | CNY139.130 (CNY157.2169) |
| 50+ | CNY137.030 (CNY154.8439) |
| 100+ | CNY134.930 (CNY152.4709) |
| 250+ | CNY132.830 (CNY150.0979) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号AIMZHN120R020M1TXKSA1
库存编号4335792
产品范围CoolSiC Series
也称为AIMZHN120R020M1T, SP005732422
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续100A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.025ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值5.1V
功率耗散429W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
100A
漏源接通状态电阻
0.025ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
5.1V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
429W
产品范围
CoolSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.008129