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AIMW120R080M1XKSA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号AIMW120R080M1XKSA1复制
库存编号3768883
产品范围CoolSiC Trench
也称为SP004807194, AIMW120R080M1
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY108.020 (CNY122.0626) |
| 5+ | CNY94.080 (CNY106.3104) |
| 10+ | CNY80.140 (CNY90.5582) |
| 50+ | CNY80.120 (CNY90.5356) |
| 100+ | CNY80.090 (CNY90.5017) |
| 250+ | CNY80.060 (CNY90.4678) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号AIMW120R080M1XKSA1复制
库存编号3768883
产品范围CoolSiC Trench
也称为SP004807194, AIMW120R080M1
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续33A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.08ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压15V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散150W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Trench
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
33A
漏源接通状态电阻
0.08ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
4.5V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
150W
产品范围
CoolSiC Trench
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.01134