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AIMW120R035M1HXKSA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 52 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号AIMW120R035M1HXKSA1复制
库存编号3768881
产品范围CoolSiC Trench
也称为SP005417579, AIMW120R035M1H
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY264.340 (CNY298.7042) |
| 5+ | CNY238.570 (CNY269.5841) |
| 10+ | CNY212.800 (CNY240.464) |
| 50+ | CNY212.240 (CNY239.8312) |
| 100+ | CNY211.670 (CNY239.1871) |
包装规格：每个
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多件: 1
CNY264.34 (CNY298.70 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号AIMW120R035M1HXKSA1复制
库存编号3768881
产品范围CoolSiC Trench
也称为SP005417579, AIMW120R035M1H
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续52A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.035ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散228mW
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Trench
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
52A
漏源接通状态电阻
0.035ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
4.5V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
228mW
产品范围
CoolSiC Trench
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.009015