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AIMBG75R027M1HXTMA1
碳化硅MOSFET, ., 单, N通道, 64 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-263 (D2PAK)
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| 5+ | CNY90.770 (CNY102.5701) |
| 10+ | CNY77.070 (CNY87.0891) |
| 50+ | CNY69.910 (CNY78.9983) |
| 100+ | CNY62.740 (CNY70.8962) |
| 250+ | CNY61.490 (CNY69.4837) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号AIMBG75R027M1HXTMA1
库存编号4707922
产品范围CoolSiC G1 Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续64A
漏源电压, Vds750V
漏源接通状态电阻0.025ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散273W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC G1 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
64A
漏源接通状态电阻
0.025ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
750V
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
273W
产品范围
CoolSiC G1 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001