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| 50+ | CNY8.320 (CNY9.4016) |
| 100+ | CNY7.860 (CNY8.8818) |
| 250+ | CNY7.390 (CNY8.3507) |
| 500+ | CNY7.110 (CNY8.0343) |
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| 2500+ | CNY6.640 (CNY7.5032) |
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产品信息
产品概述
2EP110RXTMA1 是一款用于 IGBT 和 SiC MOSFET 栅极驱动电源的 EiceDRIVER™ 功率全桥变压器驱动器。它是一款开环全桥变压器驱动器,用于为各种开关技术(IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT 等)设计隔离式栅极驱动电源。 该器件经过优化,可配合 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 及其他类似产品,为多种开关器件(如 TRENCHSTOP™ IGBT、OptiMOS™ MOSFET、CoolMOS™ 超结 MOSFET、CoolGaN™ 高电子迁移率晶体管和 CoolSiC™ MOSFET)提供栅极驱动电源。 潜在应用领域包括:工业电机驱动器(紧凑型、标准型、高端型、伺服驱动器)、太阳能逆变器、UPS和储能系统、焊接设备、商用空调、高压DC-DC转换器和DC-AC逆变器、隔离式开关电源以及电能表。
- 宽输入电源范围:4.5V 至 20V
- 支持最高5W的输出电源
- 宽频率范围:使用内部振荡器或外部时钟时,频率范围为 50kHz 至 65kHz
- 可调过流阈值,电源输出端短路保护
- 过温保护,就绪输出用于指示正常运行
- 根据 JEDEC47/20/22 的相关测试,符合工业应用要求
- 当 VVDD = 15V、CLOAD = 1nF 且 VOUT 从 10% 升至 90% 时,上升时间典型值为 15ns
- 在 VVDD = 15V、CLOAD = 1nF、VOUT 从 90% 降至 10% 时,下降时间为 15ns(典型值)
- PG-TSSOP-8-1封装
- 工作环境温度范围为 -40 至 125°C
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
全桥
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
-
电源电压最小值
4.5V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
280ns
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
栅极驱动器类型
隔离式
电源开关类型
GaN HEMT, IGBT, SiC MOSFET
IC 外壳 / 封装
TSSOP
输入类型
逻辑器件
灌电流
10mA
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
280ns
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001

