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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号1EDF5673KXUMA1复制
库存编号2984777
产品范围GaN EiceDRIVER
也称为1EDF5673K, SP002447622
技术数据表
通道数1放大器
栅极驱动器类型隔离式
驱动配置高压侧
电源开关类型GaN HEMT
针脚数13引脚
IC 外壳 / 封装TFLGA
芯片安装表面安装
输入类型-
拉电流-A
灌电流-A
电源电压最小值3V
电源电压最大值3.5V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
输入延迟37ns
输出延迟37ns
产品范围GaN EiceDRIVER
合规-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
1EDF5673KXUMA1 的替代之选
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产品概述
CoolGaN™ and similar GaN switches require a continuous gate current of a few mA in their "on" state. Besides, due to low threshold voltage and extremely fast switching transients, a negative "off" voltage level may be needed. Infineon's GaN EiceDRIVER™ solves these issues with very low effort. The two output stages shown below enable a zero “off" level to eliminate any duty-cycle dependence. In addition, the differential topology is able to provide negative gate drive without the need for a negative supply voltage. However, it requires a floating supply voltage not compatible with bootstrapping.
- Dedicated gate driver ICs for Infineon’s high voltage GaN power switches (CoolGaN™, X-GaN™)
- Single output supply voltage (typ. 8 V, floating)
- Switching behavior independent of duty-cycle (2"off" voltage levels)
- Differential concept to ensure negative gate drive voltage under any condition
- Fast input-to-output propagation (37 ns) with excellent stability (+7/-6ns)
- Galvanic input-to-output isolation based on coreless transformer (CT) technology
- Common mode transient immunity (CMTI) <gt/> 200 V/ns
技术规格
通道数
1放大器
驱动配置
高压侧
针脚数
13引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
-A
电源电压最小值
3V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
37ns
产品范围
GaN EiceDRIVER
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
栅极驱动器类型
隔离式
电源开关类型
GaN HEMT
IC 外壳 / 封装
TFLGA
输入类型
-
灌电流
-A
电源电压最大值
3.5V
工作温度最高值
85°C
输出延迟
37ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0001
