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FDPC8011S
双路场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 0.006 ohm
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| 100+ | CNY10.900 (CNY12.317) |
| 500+ | CNY9.460 (CNY10.6898) |
| 1000+ | CNY5.620 (CNY6.3506) |
| 5000+ | CNY5.510 (CNY6.2263) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDPC8011S复制
库存编号2254260
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道25V
漏源电压Vds P沟道25V
连续漏极电流 Id N沟道60A
连续漏极电流 Id P沟道60A
漏源通态电阻N沟道0.006ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型Power 33
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The FDPC8011S is an Asymmetric dual N-channel MOSFET includes two specialized N-channel MOSFETs in a dual package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET™ (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency. It is suitable for use with computing and general purpose point of load applications.
- Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in lower switching losses
- Integration enables optimum layout for lower circuit inductance and reduced switch node ringing
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
25V
连续漏极电流 Id P沟道
60A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
0.006ohm
晶体管封装类型
Power 33
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005