打印页面
DIF120SIC053
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
16 有货
需要更多？
16 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY84.740 (CNY95.7562) |
| 5+ | CNY80.500 (CNY90.965) |
| 10+ | CNY76.260 (CNY86.1738) |
| 50+ | CNY72.020 (CNY81.3826) |
| 100+ | CNY67.780 (CNY76.5914) |
| 250+ | CNY63.540 (CNY71.8002) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY84.74 (CNY95.76 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商DIOTEC SEMICONDUCTOR
制造商产品编号DIF120SIC053
库存编号4552621
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续65A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.053ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散278W
工作温度最高值175°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
65A
漏源接通状态电阻
0.053ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
4V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
278W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005167