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ZXMS6005SGTA
功率场效应管, MOSFET, 增强模式, N通道, 60 V, 2 A, 0.2 ohm, SOT-223, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY12.810 | CNY12.81 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY12.810 (CNY14.4753) |
| 10+ | CNY8.160 (CNY9.2208) |
| 100+ | CNY5.400 (CNY6.102) |
| 500+ | CNY5.080 (CNY5.7404) |
| 1000+ | CNY4.760 (CNY5.3788) |
| 5000+ | CNY4.430 (CNY5.0059) |
品項附註
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产品概述
The ZXMS6005SGTA is an INTELLIFET™ N-channel self-protected enhancement-mode MOSFET with logic level input. It integrates overtemperature, overcurrent, overvoltage (active clamp) and ESD protected logic level functionality. It is ideal as a general purpose switch driven from 3.3 or 5V microcontrollers in harsh environments where standard MOSFETs are not rugged enough.
- Compact high power dissipation package
- Low input current
- Logic level input
- Short circuit protection with auto restart
- Over voltage protection (active clamp)
- Thermal shutdown with auto restart
- Overcurrent protection
- Input protection (ESD)
- High continuous current rating
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.2ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000102