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ZXMS6005DN8Q-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 0.2 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY8.030 | CNY8.03 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.030 (CNY9.0739) |
| 10+ | CNY7.620 (CNY8.6106) |
| 100+ | CNY7.210 (CNY8.1473) |
| 500+ | CNY6.800 (CNY7.684) |
| 1000+ | CNY6.390 (CNY7.2207) |
| 5000+ | CNY6.130 (CNY6.9269) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
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库存编号
复卷3944193RL
切割卷带3944193
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道1.8A
连续漏极电流 Id P沟道1.8A
漏源通态电阻N沟道0.2ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.56W
耗散功率P沟道1.56W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
1.8A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.56W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
1.8A
漏源通态电阻N沟道
0.2ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
1.56W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000163