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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.170 | CNY15.85 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.170 (CNY3.5821) |
| 50+ | CNY2.700 (CNY3.051) |
| 100+ | CNY2.220 (CNY2.5086) |
| 500+ | CNY1.520 (CNY1.7176) |
| 1500+ | CNY1.490 (CNY1.6837) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.420 (CNY1.6046) |
| 9000+ | CNY1.400 (CNY1.582) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXMN6A07FTA
库存编号
整卷4318713
复卷9525769RL
切割卷带9525769
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续1.4A
漏源接通状态电阻0.25ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散806mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
ZXMN6A07FTA 是一款 N 沟道增强型 MOSFET。这种 MOSFET 采用独特的结构,兼具低导通电阻和快速开关速度的优点,是高效电源管理应用的理想之选。典型应用包括直流-直流转换器、电源管理功能、继电器和电磁阀驱动、电机控制。
- 低导通电阻、快速开关速度
- 低栅极电荷、低阈值
- 在TA = +25°C 时,漏极至源极电压为 60V
- 栅极-源极电压为 ±20V
- 在 VGS = 10V、TA = +25°C 时,漏极连续电流为 1.4A
- 在 TA = +25°C 时,脉冲漏极电流为 6.9A
- 在TA = +25°C 时,连续源电流(本体二极管)为 1A
- 在TA=+25°C 时,脉冲源电流(本体二极管)为 6.9A
- SOT23封装
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.4A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
806mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.25ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
ZXMN6A07FTA 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000033
