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ZXMN3A04DN8TA
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.02 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY18.460 | CNY18.46 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY18.460 (CNY20.8598) |
| 10+ | CNY11.960 (CNY13.5148) |
| 100+ | CNY8.190 (CNY9.2547) |
| 500+ | CNY6.270 (CNY7.0851) |
| 1000+ | CNY6.090 (CNY6.8817) |
| 5000+ | CNY5.980 (CNY6.7574) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXMN3A04DN8TA复制
库存编号
复卷3944186RL
切割卷带3944186
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道8.5A
连续漏极电流 Id P沟道8.5A
漏源通态电阻N沟道0.02ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.15W
耗散功率P沟道2.15W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
8.5A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.15W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
8.5A
漏源通态电阻N沟道
0.02ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2.15W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Great Britain
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Great Britain
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001