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ZXMN10A07F
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 640 mA, 0.7 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.620 | CNY23.10 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.620 (CNY5.2206) |
| 50+ | CNY3.070 (CNY3.4691) |
| 100+ | CNY2.180 (CNY2.4634) |
| 500+ | CNY1.730 (CNY1.9549) |
| 1500+ | CNY1.480 (CNY1.6724) |
品項附註
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXMN10A07F
库存编号
复卷9525700RL
切割卷带9525700
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续640mA
漏源接通状态电阻0.7ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散625mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The ZXMN10A07F is a N-channel enhancement-mode MOSFET from Zetex utilizes unique structure that combines the benefits of low ON-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency and low voltage applications.
- Low threshold
- Low gate drive
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
640mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
625mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.7ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000083