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ZXMC3A17DN8TA
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.07 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY16.230 | CNY16.23 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.230 (CNY18.3399) |
| 10+ | CNY10.290 (CNY11.6277) |
| 50+ | CNY8.470 (CNY9.5711) |
| 100+ | CNY6.640 (CNY7.5032) |
| 250+ | CNY6.510 (CNY7.3563) |
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产品概述
The ZXMC3A17DN8TA is a N/P-channel complementary enhancement-mode MOSFET utilizes unique structure that combines the benefits of low ON-resistance with fast switching speed. It is ideal for high efficiency, low voltage and LCD backlighting applications.
- Low ON-resistance
- Fast switching speed
- Low threshold
- Low gate drive
- Low profile
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
4.4A
漏源导通电阻P沟道
0.07ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.1W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
4.4A
漏源通态电阻N沟道
0.07ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00025