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ZVN3310F
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 mA, 10 ohm, SOT-23, 表面安装
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切割卷带 & 复卷
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|---|---|
| 1+ | CNY6.030 (CNY6.8139) |
| 10+ | CNY4.020 (CNY4.5426) |
| 100+ | CNY2.830 (CNY3.1979) |
| 500+ | CNY2.250 (CNY2.5425) |
| 1000+ | CNY1.890 (CNY2.1357) |
| 5000+ | CNY1.740 (CNY1.9662) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZVN3310F复制
库存编号
复卷9526242RL
切割卷带9526242
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续100mA
漏源接通状态电阻10ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.4V
功率耗散330mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The ZVN3310F is an N-channel Enhancement Mode MOSFET utilizes a structure that combines low input capacitance with relatively low on-resistance and has an intrinsically higher pulse current handling capability in linear mode than a comparable trench technology structure. This transistor features UL94V-0 rated case and solderable as per MIL-STD-202, method 208 matte tin finish lead frame (lead free plating) terminals. This MOSFET is suitable for general purpose applications. it is complementary to ZVP3310F type transistor.
- High pulse current handling in linear mode
- Low input capacitance
- Fast switching speed
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
330mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
10ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033