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ZVN2110A
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 320 mA, 4 ohm, TO-226AA, 通孔
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产品概述
ZVN2110A 是一款 N 沟道增强型垂直 DMOS FET。
- 漏极-源极电压为 100V
- 在Tamb=25° 时，连续漏极电流为 320mA
- 脉冲漏极电流为 6A
- 栅源电压为 ±20V
- 在Tamb=25°C 时，功率耗散为 700mW
- 在 ID=1mA、VGS=0V、Tamb=25°C 时，漏源击穿电压最小为 100V
- 在 VGS=10V、ID=1A、Tamb=25°C 时，漏极-源极静态导通电阻最大为 4 ohm
- 在VDD ≈25V、ID=1A、Tamb=25°C 时，关断延迟时间最大为 13ns
- E-Line 封装
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
320mA
晶体管封装类型
TO-226AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
700mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
4ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2.4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000166