DZDH0401DW-7

DZDH0401DW-7 是一款理想二极管控制器。它用于驱动配置为理想二极管的 P 沟道增强型 MOSFET。该器件用作差分放大器和 PMOS 控制器，在 VIN > VOUT 时最大限度地减少正向电流损耗，在 VIN < VOUT 时提供高隔离度。电路比较 IN 和 OUT 之间的电压。典型应用包括高压侧栅极驱动 PMOS、高压侧断开开关、电池放电保护、应急照明、主动 OR'ing 冗余电源。

• 在 IDRAIN=100μA，TA=+25°C 时漏极 - 偏置电压为 78V（典型值）
• 在 ISOURCE=100μA，TA=+25°C时，源极 - 漏极电压为 84V（典型值）
• 在 IDRAIN=100μA，TA=+25°C 时，漏极 - REF 电压为 588mV（典型值）
• 在 VSOURCE-REF=0.56V，TA=+25°C 时，源极电流为 11.6μA（典型值）
• 在 IDRAIN=100µA; ISOURCE=10μA, TA=+25°C 时，关断差分电压为 34mV（典型值）
• 在TA = +25°C 时，功率耗散为 300mW
• SOT363 外壳
• 工作和存储温度范围为 -65 至 +150°C