打印页面
DMTH10H003SPSW-13
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 166 A, 3000 µohm, PowerDI 5060, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
868 有货
需要更多？
868 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY15.470 | CNY77.35 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY15.470 (CNY17.4811) |
| 50+ | CNY13.080 (CNY14.7804) |
| 100+ | CNY10.680 (CNY12.0684) |
| 500+ | CNY10.160 (CNY11.4808) |
| 1000+ | CNY9.660 (CNY10.9158) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMTH10H003SPSW-13
库存编号
复卷3702808RL
切割卷带3702808
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续166A
漏源接通状态电阻3000µohm
晶体管封装类型PowerDI 5060
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.6V
功率耗散2.6W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
166A
晶体管封装类型
PowerDI 5060
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.6W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
3000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.6V
针脚数
8引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0008