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DMT69M9LPDW-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 44 A, 44 A, 0.0125 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY12.670 | CNY12.67 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY12.670 (CNY14.3171) |
| 10+ | CNY8.600 (CNY9.718) |
| 100+ | CNY6.350 (CNY7.1755) |
| 500+ | CNY5.130 (CNY5.7969) |
| 1000+ | CNY4.190 (CNY4.7347) |
| 5000+ | CNY3.930 (CNY4.4409) |
品項附註
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMT69M9LPDW-13复制
制造商标准货期59 周
库存编号
复卷3828444RL
切割卷带3828444
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道44A
连续漏极电流 Id P沟道44A
漏源通态电阻N沟道0.0125ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型PowerDI5060
针脚数8引脚
耗散功率N沟道40.3W
耗散功率P沟道40.3W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
44A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
40.3W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
44A
漏源通态电阻N沟道
0.0125ohm
晶体管封装类型
PowerDI5060
耗散功率N沟道
40.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536