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DMT61M8SPS-13
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 205 A, 1600 µohm, PowerDI5060, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY26.590 | CNY26.59 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY26.590 (CNY30.0467) |
| 10+ | CNY23.160 (CNY26.1708) |
| 100+ | CNY22.550 (CNY25.4815) |
| 500+ | CNY21.940 (CNY24.7922) |
| 1000+ | CNY17.450 (CNY19.7185) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMT61M8SPS-13
库存编号
复卷3589204RL
切割卷带3589204
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续205A
漏源接通状态电阻1600µohm
晶体管封装类型PowerDI5060
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散2.7W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
DMT61M8SPS-13 是一款 N 沟道增强型 MOSFET。其设计旨在最大限度地降低 RDS(ON)，同时保持出色的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。典型应用包括发动机管理系统、车身控制电子设备和 DC-DC 转换器。
- 在生产中进行 100% 无钳位电感开关测试，确保终端应用更加可靠/稳健
- 转换效率高
- 低 RDS(ON) - 尽量减少导通损耗
- 输入电容小，开关速度快
- 在TC = +25°C 时，漏极至源极电压为 60V
- 在TC=+25°C 时，栅源电压为 ±20V
- 在 Tc=+25°C 和 VGS=10V 时，漏极连续电流为 205A
- 在TA=+25°C 时，总功耗为 2.7W
- PowerDI5060-8 （K 型）外壳
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
205A
晶体管封装类型
PowerDI5060
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
1600µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002