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DMT6013LFDF-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 10 A, 0.0122 ohm, U-DFN2020, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY4.730 | CNY4.73 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY4.730 (CNY5.3449) |
| 10+ | CNY4.130 (CNY4.6669) |
| 100+ | CNY3.990 (CNY4.5087) |
| 500+ | CNY3.830 (CNY4.3279) |
| 1000+ | CNY3.810 (CNY4.3053) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMT6013LFDF-7
库存编号
复卷3680155RL
切割卷带3680155
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续10A
漏源接通状态电阻0.0122ohm
晶体管封装类型U-DFN2020
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.3V
功率耗散10.8W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
10A
晶体管封装类型
U-DFN2020
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
10.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0122ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.3V
针脚数
6引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000121