打印页面
DMT6004LPS-13
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, 表面安装
4,544 有货
需要更多？
4,544 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY10.090 | CNY10.09 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.090 (CNY11.4017) |
| 10+ | CNY8.120 (CNY9.1756) |
| 100+ | CNY6.780 (CNY7.6614) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMT6004LPS-13复制
制造商标准货期56 周
库存编号
复卷3518398RL
切割卷带3518398
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻2500µohm
晶体管封装类型PowerDI 5060
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散2.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
DMT6004LPS-13 is a N-channel enhancement mode MOSFET in an 8 pin PowerDI5060 package. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include motor control, transformer driving switch, DC-DC converters, power management functions and uninterrupted power supply.
- Dain-source voltage is 60V
- Gate-source voltage is ±20V
- Pulsed drain current is 400A
- Total power dissipation is 2.5W(TA = +25°C)
- Low RDS(ON) ensures on-state losses are minimized
- Low Qg minimizes switching losses
- 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
PowerDI 5060
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
2500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000127