打印页面
DMPH6050SK3-13
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
7,149 有货
15,000 您现在可以预订货品了
7,149 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.550 | CNY32.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.550 (CNY7.4015) |
| 50+ | CNY5.410 (CNY6.1133) |
| 100+ | CNY4.270 (CNY4.8251) |
| 500+ | CNY3.290 (CNY3.7177) |
| 1000+ | CNY2.980 (CNY3.3674) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 2500+ | CNY2.370 (CNY2.6781) |
| 7500+ | CNY2.290 (CNY2.5877) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMPH6050SK3-13复制
库存编号
整卷4318600
复卷3518391RL
切割卷带3518391
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续23.6A
漏源接通状态电阻0.05ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散1.9W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
DMPH6050SK3-13 是一款 P 沟道增强型 MOSFET。这种新一代 MOSFET 设计用于最大限度地减小导通电阻 (RDS(ON))，并保持出色的开关性能，是高效电源管理应用的理想之选。典型应用包括负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动。
- 100% 无钳位电感开关 - 确保终端应用更可靠、更稳健
- 低 Qg - 将开关损耗降至最低，低 RDS(ON) - 将导通损耗降至最低
- 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 -60V
- 在TA = +25°C 时，栅极至源极电压为 ±20V
- 在TA = +25°C、稳态、VGS = -10V 时，漏极连续电流为 -7.2A
- 在TA = +25°C 时，脉冲漏极电流（10µs 脉冲，占空比 = 1%）为 -40A
- 在TA = +25°C 时，总功率耗散为 1.9W
- 在VGS = -10V、ID = -7A、TA = +25°C 时，静态漏极-源极导通电阻最大为 50 mohm
- TO252 (DPAK) 外壳
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +175°C
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有波动。产品不享受折扣。
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
23.6A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.9W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.05ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000426