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DMP6185SEQ-13
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 3 A, 0.11 ohm, SOT-223, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.530 | CNY27.65 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.530 (CNY6.2489) |
| 10+ | CNY3.290 (CNY3.7177) |
| 100+ | CNY2.210 (CNY2.4973) |
| 500+ | CNY1.750 (CNY1.9775) |
| 1000+ | CNY1.250 (CNY1.4125) |
| 5000+ | CNY1.230 (CNY1.3899) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMP6185SEQ-13复制
库存编号
复卷3943821RL
切割卷带3943821
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续3A
漏源接通状态电阻0.11ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散1.2W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
DMP6185SEQ-13 是一款 P 沟道增强型 MOSFET。该 MOSFET 旨在将导通电阻降至最低，同时保持卓越的开关性能，因此非常适合用于高效率电源管理应用。典型应用包括电机控制、变压器驱动开关、DC-DC 转换器、电源管理功能以及不间断电源。
- 生产中进行 100% 无钳位电感开关 (UIS) 测试
- 低导通电阻，快速开关速度
- 在 VGS=0V，ID=250μA，TA=+25°C 时，漏源击穿电压为-60V（最小值）
- 在 VDS = -48V、VGS = 0V、TA = +25°C 时，零栅极电压漏极电流最大为 -1µA
- 在 VGS = ±20V、VDS = 0V、TA = +25°C 时，栅极-源极漏电流最大为 ±100nA
- 在 VGS = -10V，ID = -2.2A，TA = +25°C 时，静态漏极至源极导通电阻为 110mohm（典型值）
- 在 VDS = -30V、ID = -12A、TA = +25°C 时，总栅极电荷（VGS = -4.5V）为 6.2nC（典型值）
- 当 IF = -12A、di/dt = 100A/μs、TA = +25°C 时，本体二极管反向恢复电荷为 17nC（典型值）
- SOT223 封装
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.2W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.11ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001