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DMP3099L-13
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.270 | CNY11.35 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.270 (CNY2.5651) |
| 50+ | CNY1.430 (CNY1.6159) |
| 250+ | CNY1.050 (CNY1.1865) |
| 1000+ | CNY0.917 (CNY1.0362) |
| 5000+ | CNY0.899 (CNY1.0159) |
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产品概述
DMP3099L-13 是一款 P 沟道增强型 MOSFET。这种 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想之选。典型应用包括背光、电源管理功能、DC-DC 转换器。
- 低栅极阈值电压、低输入电容
- 开关速度快，输入/输出漏电低
- 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 -30V
- 在TA = +25°C 时，栅极至源极电压为 ±20V
- 在TA = +25°C 时，漏极电流为 -3.8A，稳态，TA = +25°C
- 在 TA = +25°C 时，脉冲漏极电流为 -11A
- 总功率耗散为 1.08W
- 在VGS = -10V、ID = -3.8A、TA = +25°C 时，静态漏极-源极导通电阻最大为 65 mohm
- SOT23（标准）封装
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3.8A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.08W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.065ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000052