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DMP3056LSD
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMP3056LSD复制
库存编号2061421
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道6.9A
连续漏极电流 Id P沟道6.9A
漏源通态电阻N沟道0.045ohm
漏源导通电阻P沟道0.045ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.5W
耗散功率P沟道2.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
DMP3056LSD 是一款双P沟道增强型MOSFET, 设计具有低导通电阻RDS (ON), 同时保持卓越的开关性能. 该产品设计用于背光和DC-DC转换器应用。
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关性能
- 低输入/输出泄漏
- 无卤素
- UL94V-0 阻燃等级
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
6.9A
漏源导通电阻P沟道
0.045ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.5W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
6.9A
漏源通态电阻N沟道
0.045ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074