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DMP3056L-7
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.140 | CNY15.70 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.140 (CNY3.5482) |
| 50+ | CNY2.580 (CNY2.9154) |
| 100+ | CNY2.010 (CNY2.2713) |
| 500+ | CNY1.520 (CNY1.7176) |
| 1500+ | CNY1.490 (CNY1.6837) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.340 (CNY1.5142) |
| 9000+ | CNY1.320 (CNY1.4916) |
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产品概述
DMP3056L-7 是一款 P 沟道增强型 MOSFET。这款新一代 MOSFET 设计用于最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，是高效电源管理应用的理想之选。
- 低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容
- 开关速度快，输入/输出漏电低
- 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 -30V
- 在TA = +25°C 时，栅极至源极电压为 ±25V
- 在TA = +25°C、VGS = -10V、稳态时，漏极电流为 -4.3A
- 在 TA = +25°C 时，脉冲漏极电流为 -20A
- 在TA = +25°C 时，总功耗为 1.38W
- 在VGS = -10V、ID = -6.0A、TA = +25°C 时，静态漏极-源极导通电阻最大为 50 mohm
- SOT23（标准）封装
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
4.3A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.38W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.05ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00185