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DMP2160UW-7
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-323, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.220 (CNY2.5086) |
| 10+ | CNY1.690 (CNY1.9097) |
| 100+ | CNY1.400 (CNY1.582) |
| 500+ | CNY0.984 (CNY1.1119) |
| 1000+ | CNY0.784 (CNY0.8859) |
| 5000+ | CNY0.649 (CNY0.7334) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMP2160UW-7复制
库存编号1858672
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续1.5A
漏源接通状态电阻0.1ohm
晶体管封装类型SOT-323
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值600mV
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
产品概述
DMP2160UW-7 是一款P沟道增强型MOSFET, 模制塑料外壳, 可焊接雾锡退火合金42引线框架端子, 符合MIL-STD-202标准。
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏
- 无卤素, 绿色设备
- 符合AEC-Q101标准, 高可靠性
- J-STD-020标准, 湿度灵敏度等级为1
- UL94V-0 阻燃等级
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
1.5A
晶体管封装类型
SOT-323
Rds(on)测试电压
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.1ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
600mV
工作温度最高值
150°C
合规
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000005