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DMP2160UFDB-7
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY5.650 | CNY28.25 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.650 (CNY6.3845) |
| 10+ | CNY3.500 (CNY3.955) |
| 100+ | CNY2.260 (CNY2.5538) |
| 500+ | CNY1.730 (CNY1.9549) |
| 1000+ | CNY1.220 (CNY1.3786) |
| 5000+ | CNY1.200 (CNY1.356) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMP2160UFDB-7
库存编号
复卷3944145RL
切割卷带3944145
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续3.8A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.054ohm
连续漏极电流 Id N沟道3.8A
连续漏极电流 Id P沟道3.8A
漏源通态电阻N沟道-
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.07ohm
阈值栅源电压最大值900mV
晶体管封装类型UDFN2020
功耗 Pd1.4W
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.4W
耗散功率P沟道1.4W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
3.8A
在电阻RDS（上）
0.054ohm
连续漏极电流 Id P沟道
3.8A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.07ohm
晶体管封装类型
UDFN2020
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.4W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
3.8A
漏源通态电阻N沟道
-
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
900mV
功耗 Pd
1.4W
耗散功率N沟道
1.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001