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DMP2075UFDB-7
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.075 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.420 | CNY27.10 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.420 (CNY6.1246) |
| 10+ | CNY3.300 (CNY3.729) |
| 100+ | CNY2.200 (CNY2.486) |
| 500+ | CNY1.390 (CNY1.5707) |
| 1000+ | CNY1.190 (CNY1.3447) |
| 5000+ | CNY1.170 (CNY1.3221) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMP2075UFDB-7复制
库存编号
复卷3680144RL
切割卷带3680144
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道3.8A
连续漏极电流 Id P沟道3.8A
漏源通态电阻N沟道0.075ohm
漏源导通电阻P沟道0.075ohm
晶体管封装类型U-DFN2020
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.4W
耗散功率P沟道1.4W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
3.8A
漏源导通电阻P沟道
0.075ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.4W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
3.8A
漏源通态电阻N沟道
0.075ohm
晶体管封装类型
U-DFN2020
耗散功率N沟道
1.4W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000121