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DMP2065UFDB-7
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.04 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.250 | CNY21.25 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.250 (CNY4.8025) |
| 50+ | CNY3.730 (CNY4.2149) |
| 100+ | CNY3.290 (CNY3.7177) |
| 500+ | CNY3.230 (CNY3.6499) |
| 1500+ | CNY3.160 (CNY3.5708) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMP2065UFDB-7复制
制造商标准货期47 周
库存编号
复卷2709536RL
切割卷带2709536
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
漏源通态电阻N沟道0.04ohm
漏源导通电阻P沟道0.04ohm
晶体管封装类型UDFN2020
针脚数6引脚
耗散功率N沟道740mW
耗散功率P沟道740mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
漏源导通电阻P沟道
0.04ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
740mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.04ohm
晶体管封装类型
UDFN2020
耗散功率N沟道
740mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000907