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DMP2035U-7
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 3.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.570 | CNY22.85 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.570 (CNY5.1641) |
| 50+ | CNY3.740 (CNY4.2262) |
| 100+ | CNY2.910 (CNY3.2883) |
| 500+ | CNY1.340 (CNY1.5142) |
| 1500+ | CNY1.310 (CNY1.4803) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.280 (CNY1.4464) |
| 9000+ | CNY1.260 (CNY1.4238) |
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产品概述
DMP2035U-7 是 P 沟道增强型 MOSFET。
- 低导通电阻、低输入电容、快速开关速度
- 低输入/输出漏电，ESD 保护
- 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 -20V
- 在TA = +25°C 时，栅极至源极电压为 ±10V
- 在TA = +25°C、VGS = -4.5V、稳态时，漏极连续电流为 -4.9A
- 在 TA = +25°C 时，脉冲漏极电流为 -24A
- 在TA = +25°C 时，总功耗为 0.81W
- 在VGS = -4.5V、ID = -4.0A、TA = +25°C 时，静态漏极-源极导通电阻最大值为 35 mohm
- SOT23（标准）封装
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3.6A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
810mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.035ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
700mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
DMP2035U-7 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00185