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DMP2022LSS-13
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.470 | CNY27.35 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.470 (CNY6.1811) |
| 50+ | CNY4.800 (CNY5.424) |
| 100+ | CNY4.120 (CNY4.6556) |
| 500+ | CNY3.240 (CNY3.6612) |
| 1000+ | CNY2.770 (CNY3.1301) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 2500+ | CNY2.700 (CNY3.051) |
| 7500+ | CNY2.470 (CNY2.7911) |
品項附註
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMP2022LSS-13
库存编号
整卷4318494
复卷2543549RL
切割卷带2543549
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续1A
漏源接通状态电阻0.013ohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值770mV
功率耗散2.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
DMP2022LSS-13 is a single P-channel enhancement mode MOSFET.
- Low gate threshold voltage, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is -20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±12V at TA = +25°C
- Drain current is -10A at TA = +25°C, steady state, TA = +25°C
- Pulsed drain current is -90A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 2.5W
- Static drain-source on-resistance is 13mohm max at VGS = -10V, ID = -10A, TA = +25°C
- SO-8 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
1A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.013ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
770mV
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000207