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DMP2004DWK-7
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY4.810 | CNY24.05 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.810 (CNY5.4353) |
| 10+ | CNY2.750 (CNY3.1075) |
| 100+ | CNY1.910 (CNY2.1583) |
| 500+ | CNY1.450 (CNY1.6385) |
| 1000+ | CNY0.960 (CNY1.0848) |
| 5000+ | CNY0.941 (CNY1.0633) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMP2004DWK-7
库存编号
复卷3944139RL
切割卷带3944139
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds P沟道20V
电流, Id 连续430mA
连续漏极电流 Id N沟道430mA
在电阻RDS（上）0.7ohm
连续漏极电流 Id P沟道430mA
漏源通态电阻N沟道-
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.9ohm
Rds(on)测试电压4.5V
晶体管封装类型SOT-363
阈值栅源电压最大值1V
功耗 Pd250mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道250mW
耗散功率P沟道250mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
430mA
连续漏极电流 Id P沟道
430mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
250mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
P通道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
430mA
在电阻RDS（上）
0.7ohm
漏源通态电阻N沟道
-
漏源导通电阻P沟道
0.9ohm
晶体管封装类型
SOT-363
功耗 Pd
250mW
耗散功率N沟道
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001