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DMP10H400SK3-13
功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 9 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY9.120 | CNY9.12 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.120 (CNY10.3056) |
| 10+ | CNY5.720 (CNY6.4636) |
| 100+ | CNY3.760 (CNY4.2488) |
| 500+ | CNY2.920 (CNY3.2996) |
| 1000+ | CNY2.340 (CNY2.6442) |
| 5000+ | CNY2.080 (CNY2.3504) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMP10H400SK3-13复制
库存编号
复卷3127353RL
切割卷带3127353
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续9A
漏源接通状态电阻0.24ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散42W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
DMP10H400SK3-13 是一款 P 沟道增强型 MOSFET。这种新一代 MOSFET 设计用于最大限度地降低导通电阻（RDS(on)），并保持出色的开关性能，是高效电源管理应用的理想之选。典型应用包括电源管理功能、DC-DC 转换器和模拟开关。
- 低导通电阻、低输入电容
- 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 -100V
- 在TA = +25°C 时，栅极至源极电压为 ±20V
- 在 TC = +25°C、VGS = -10V、稳态时，连续漏极电流为 -9A
- 在TA = +25°C 时，脉冲漏极电流（10µs 脉冲，占空比 = 1%）为 -15A
- 在TA = +25°C 时，总功率耗散为 42W
- 在VGS = -10V、ID = -5A、TA = +25°C 时，静态漏极-源极导通电阻最大值为 240 mohm
- 在TA = +25°C 时，最大体二极管正向电流为 -4A
- TO252 外壳
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有波动。产品不享受折扣。
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
9A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
42W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.24ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000384