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DMNH6042SSDQ-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 16.7 A, 16.7 A, 0.05 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY15.170 | CNY15.17 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY15.170 (CNY17.1421) |
| 10+ | CNY9.610 (CNY10.8593) |
| 100+ | CNY6.480 (CNY7.3224) |
| 500+ | CNY5.200 (CNY5.876) |
| 1000+ | CNY4.290 (CNY4.8477) |
| 5000+ | CNY4.220 (CNY4.7686) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMNH6042SSDQ-13复制
库存编号
复卷3944138RL
切割卷带3944138
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道16.7A
连续漏极电流 Id P沟道16.7A
漏源通态电阻N沟道0.05ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.1W
耗散功率P沟道2.1W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
16.7A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.1W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
16.7A
漏源通态电阻N沟道
0.05ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2.1W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001