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DMN66D0LW-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 115 mA, 3 ohm, SOT-323, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY4.330 | CNY21.65 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.330 (CNY4.8929) |
| 10+ | CNY2.560 (CNY2.8928) |
| 100+ | CNY1.930 (CNY2.1809) |
| 500+ | CNY1.580 (CNY1.7854) |
| 1000+ | CNY1.210 (CNY1.3673) |
| 5000+ | CNY1.090 (CNY1.2317) |
品項附註
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DMN66D0LW-7 的替代之选
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
115mA
晶体管封装类型
SOT-323
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
3ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001