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DMN66D0LDW-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 5 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.660 | CNY33.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.660 (CNY7.5258) |
| 10+ | CNY4.130 (CNY4.6669) |
| 100+ | CNY2.700 (CNY3.051) |
| 500+ | CNY2.080 (CNY2.3504) |
| 1000+ | CNY1.350 (CNY1.5255) |
| 5000+ | CNY1.300 (CNY1.469) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN66D0LDW-7
库存编号
复卷3944134RL
切割卷带3944134
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道115mA
连续漏极电流 Id P沟道115mA
漏源通态电阻N沟道5ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道250mW
耗散功率P沟道250mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
115mA
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
250mW
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
115mA
漏源通态电阻N沟道
5ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001