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DMN65D8LDW-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.760 | CNY13.80 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.760 (CNY3.1188) |
| 10+ | CNY1.510 (CNY1.7063) |
| 100+ | CNY0.969 (CNY1.095) |
| 500+ | CNY0.778 (CNY0.8791) |
| 1000+ | CNY0.444 (CNY0.5017) |
| 5000+ | CNY0.436 (CNY0.4927) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN65D8LDW-7复制
库存编号
复卷2543547RL
切割卷带2543547
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道180mA
连续漏极电流 Id P沟道180mA
漏源通态电阻N沟道6ohm
漏源导通电阻P沟道6ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道300mW
耗散功率P沟道300mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
180mA
漏源导通电阻P沟道
6ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
300mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
180mA
漏源通态电阻N沟道
6ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454