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DMN63D8LV-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.790 | CNY8.95 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.790 (CNY2.0227) |
| 50+ | CNY1.470 (CNY1.6611) |
| 100+ | CNY1.140 (CNY1.2882) |
| 500+ | CNY0.717 (CNY0.8102) |
| 1500+ | CNY0.703 (CNY0.7944) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.555 (CNY0.6272) |
| 9000+ | CNY0.462 (CNY0.5221) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN63D8LV-7复制
库存编号
整卷4318474
复卷2543519RL
切割卷带2543519
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道260mA
连续漏极电流 Id P沟道260mA
漏源通态电阻N沟道2.8ohm
漏源导通电阻P沟道2.8ohm
晶体管封装类型SOT-563
针脚数6引脚
耗散功率N沟道450mW
耗散功率P沟道450mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
260mA
漏源导通电阻P沟道
2.8ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
450mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
260mA
漏源通态电阻N沟道
2.8ohm
晶体管封装类型
SOT-563
耗散功率N沟道
450mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005