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DMN63D8LDWQ-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.210 | CNY16.05 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.210 (CNY3.6273) |
| 10+ | CNY2.240 (CNY2.5312) |
| 100+ | CNY1.420 (CNY1.6046) |
| 500+ | CNY0.884 (CNY0.9989) |
| 1000+ | CNY0.679 (CNY0.7673) |
| 5000+ | CNY0.519 (CNY0.5865) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN63D8LDWQ-7复制
库存编号
复卷3944132RL
切割卷带3944132
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道220mA
连续漏极电流 Id P沟道220mA
漏源通态电阻N沟道2.8ohm
漏源导通电阻P沟道2.8ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道400mW
耗散功率P沟道400mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
220mA
漏源导通电阻P沟道
2.8ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
400mW
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
220mA
漏源通态电阻N沟道
2.8ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
400mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001