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DMN61D8LVT-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.8 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY7.200 | CNY36.00 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.200 (CNY8.136) |
| 10+ | CNY4.500 (CNY5.085) |
| 100+ | CNY2.940 (CNY3.3222) |
| 500+ | CNY2.280 (CNY2.5764) |
| 1000+ | CNY1.730 (CNY1.9549) |
| 5000+ | CNY1.330 (CNY1.5029) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN61D8LVT-7
库存编号
复卷3944127RL
切割卷带3944127
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds P沟道60V
电流, Id 连续630mA
连续漏极电流 Id N沟道630mA
在电阻RDS（上）1.1ohm
连续漏极电流 Id P沟道630mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道1.8ohm
漏源导通电阻P沟道-
Rds(on)测试电压5V
阈值栅源电压最大值2V
晶体管封装类型TSOT-26
功耗 Pd1.09W
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.09W
耗散功率P沟道1.09W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
630mA
连续漏极电流 Id P沟道
630mA
漏源通态电阻N沟道
1.8ohm
Rds(on)测试电压
5V
晶体管封装类型
TSOT-26
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.09W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
630mA
在电阻RDS（上）
1.1ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
2V
功耗 Pd
1.09W
耗散功率N沟道
1.09W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001