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DMN6068LK3-13
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 6 A, 0.068 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.910 | CNY19.55 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.910 (CNY4.4183) |
| 50+ | CNY3.230 (CNY3.6499) |
| 100+ | CNY2.540 (CNY2.8702) |
| 500+ | CNY1.950 (CNY2.2035) |
| 1000+ | CNY1.760 (CNY1.9888) |
品項附註
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN6068LK3-13
库存编号
复卷3127341RL
切割卷带3127341
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续6A
漏源接通状态电阻0.068ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散4.12W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
DMN6068LK3-13 is a N-channel enhancement mode MOSFET in a 3 pin TO252 package. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include motor control, transformer driving switch, DC-DC converters, power management functions and uninterrupted power supply.
- Dain-source voltage is 60V
- Gate-source voltage is ±20V
- Pulsed drain current is 22.2A
- Low on-resistance
- Operating temperature range from -55 to +150°C
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Fast switching speed
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
4.12W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.068ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85364190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00195