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DMN6066SSD-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 3.3 A, 3.3 A, 0.066 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY7.750 | CNY7.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.750 (CNY8.7575) |
| 10+ | CNY4.830 (CNY5.4579) |
| 100+ | CNY3.170 (CNY3.5821) |
| 500+ | CNY2.450 (CNY2.7685) |
| 1000+ | CNY2.230 (CNY2.5199) |
| 5000+ | CNY1.730 (CNY1.9549) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
3.3A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.8W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
3.3A
漏源通态电阻N沟道
0.066ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
1.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001