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DMN53D0LDW-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.360 | CNY6.80 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.360 (CNY1.5368) |
| 50+ | CNY1.100 (CNY1.243) |
| 100+ | CNY0.839 (CNY0.9481) |
| 500+ | CNY0.519 (CNY0.5865) |
| 1500+ | CNY0.509 (CNY0.5752) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.460 (CNY1.6498) |
| 9000+ | CNY1.100 (CNY1.243) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN53D0LDW-7
库存编号
整卷4318592
复卷3405243RL
切割卷带3405243
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道50V
漏源电压Vds P沟道50V
连续漏极电流 Id N沟道360mA
连续漏极电流 Id P沟道360mA
漏源通态电阻N沟道1.6ohm
漏源导通电阻P沟道1.6ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道310mW
耗散功率P沟道310mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
50V
连续漏极电流 Id P沟道
360mA
漏源导通电阻P沟道
1.6ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
310mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
50V
连续漏极电流 Id N沟道
360mA
漏源通态电阻N沟道
1.6ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
310mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000045